EBIC (Electron Beam Induced Current)原理

EBIC原理

EBIC图像是通过测量穿过半导体氧化物（Oxide）和金属（Metal）层进入pn结的电子流而产生的。电子束（Electron Beam）与半导体PN结区的作用产生的电子空穴对（electron hole pairs）在扩散电压（diffusion voltage）的作用下分离。EBIC电流信号通过钨探针连接到EBIC放大器上，并将EBIC电流信号放大并转换为电压信号。当用电子束扫描样品时，即可通过SEM获得样品的电流像。

(1) 电子束在半导体材料中产生电子-空穴对

(2) 电子和空穴在耗尽区的内部电场中分离产生EBIC 电流

(3) EBIC电流信号作为 SEM 成像系统的输入信号

(4) 可对耗尽区（Depletion zone）和电气缺陷表征

EBIC图像解读

在EBIC图像中，“明/暗”区域代表PN结中n阱和P阱。灰色区域表示没有记录到电流的区域。通过与二次电子像的叠加，可以SEM相中看到PN结（耗尽区，Depletion zone）的位置。

EBIC结果

EBIC结果可以用于定位并观察PN结和非破坏性电气缺陷表征。

图示例：EBIC in 10 nm Exynos